机译:完全原子层沉积生长的TiN / HfO_2 / TiN器件的电阻转换和突触特性
Moscow Institute of Physics and Technology, 141700 Moscow Region, Russia,NRNU 'Moscow Engineering Physics Institute', 115409 Moscow, Russia;
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机译:原子层沉积生长的TiN / HfO_2 / TiN堆中电阻转换的互补和双极态
机译:原子层制备的Pt和TiN涂层衬底上HfO
机译:通过使用GeO _xN_y钝化层的锗基金属氧化物半导体器件的原子层沉积法生长的TiO_2 / HfO_2双层栅堆叠
机译:原子层沉积温度对HfOx电阻式RAM器件开关特性的影响
机译:通过物理气相沉积和原子层沉积生长的锶钛氧化物上的铂纳米粒子的纳米级研究。
机译:HtO2 / TiO2 / HfO2三层结构RRAM器件在原子层沉积制备的Pt和TiN涂层衬底上的双极电阻转换特性
机译:由由原子层沉积生长的铁和氧化硅组成的混合物膜和纳米胺中的磁性和电阻切换
机译:通过原子层沉积在生物基包装材料上生长的薄al2O3阻隔涂层(Ohuet Biopohjaisille pakkausmateriaaleille atomikerroskasvatetut al2O3-Barrierpinnoitteet)