机译:垂直功率MOS晶体管作为热电准纳米线器件
Unit of Energy Engineering, Ben-Gurion University of the Negev, Beer-Sheva 84105, Israel;
Department of Materials Engineering, Nuclear Research Center Negev, P.O. Box 9001, Beer-Sheva, Israel;
The Center for Power Electronics and Mixed-Signal IC, Department of Electrical and Computer Engineering,Ben-Gurion University of the Negev, Beer-Sheva 84105, Israel;
Unit of Energy Engineering, Ben-Gurion University of the Negev, Beer-Sheva 84105, Israel,Department of Materials Engineering, Ben-Gurion University of the Negev, Beer-Sheva 84105, Israel;
机译:能源相关应用的有机场效应晶体管:低功耗器件,近红外光电晶体管和有机热电器件
机译:大功率双极型半导体器件的热电模型。第一部分:有缺陷的高频晶体管的模型
机译:原子级场效应晶体管作为热电发电机和自供电设备
机译:由垂直堆叠的石墨烯层制成的器件具有较高的热电性能
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:原子级场效应晶体管作为热电发电机 和自供电设备
机译:热电冷冻装置材料的热电发电和珀耳帖冷却特性的研究。