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机译:10nm规模器件中带有金属电极或绝缘衬底的石墨烯通道的电子传输特性
Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan;
Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, Kashiwa 277-85 81, Japan;
Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8571, Japan;
Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan;
机译:基于Z字形石墨烯纳米电极的M(DCDMP)(2)(2)(M = Cu,Au,Co,Ni)分子装置的自旋依赖性电子传输性能
机译:夹在氮掺杂扶手椅石墨烯纳米带电极之间的二嵌段共低聚物分子器件的电子传输性质
机译:金电极间石墨烯通道的电子输运性质
机译:电极接触对石墨烯基纳米分子器件的几何结构和传输性能的影响
机译:金属 - 石墨烯触点的电子和运输性能
机译:具有铁磁电极的扶手椅石墨烯纳米带中的自旋电子传输:半金属性质
机译:石墨烯通道与金属电极或绝缘基板在10 withnm规模器件中的电子传输性能