机译:GaN中与碳有关的能级的第一性原理研究。二。由碳和氢,硅或氧形成的络合物
Department of Electrical and Computer Engineering, Boston University, 8 St. Mary's Street, Boston, Massachusetts 02215, USA;
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机译:使用heyd-scuseria-ernzerhof混合功能的GaN中碳相关配合物和能级的第一性原理研究
机译:第一部分聚氧钨酸盐和聚氧钼酸盐的二磷酸盐复合物。第二部分钾(3)(砷(2)(砷酸)钼(12)氧(36))的结构。 4水,钾(10)(氢(2)钨(12)氧(42))。 7.5水和铯(6)(钼(7)氧(24))。 7水。
机译:通过自组装分子实现无缺陷掺杂单层:间隙中碳相关缺陷的演变。磷掺杂硅
机译:GaN中与碳相关的能级的第一原理研究:第二部分 - 由碳和氢,硅或氧形成的配合物
机译:原子能级(源自光谱分析。第一卷。氢,氘,氚,氦,锂,铍,硼,碳,氮,氧,氟,氖,钠,镁,铝,硅的光谱,磷,苏