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机译:(0001)GaN表面上InGaN合金异质外延生长过程中缺陷形成的分子动力学研究
Mechanics of Materials Department, Sandia National Laboratories, Livermore, California 94550, USA,Materials Science and Engineering Department, Drexel University, Philadelphia, Pennsylvania 19104, USA;
Mechanics of Materials Department, Sandia National Laboratories, Livermore, California 94550, USA;
Mechanics of Materials Department, Sandia National Laboratories, Livermore, California 94550, USA;
Advanced Materials Sciences Department, Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87123, USA;
Materials Science and Engineering Department, Drexel University, Philadelphia, Pennsylvania 19104, USA;
机译:氯在HVPE GaN生长-Ab从头研究中在GaN(0001)表面动力学中的作用
机译:在SiC(0001)上形成石墨烯或碳纳米管的生长机理和选择性:密度泛函紧密结合分子动力学研究
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机译:mBE对(0001)蓝宝石生长GaN缓冲层中N / Ga流量比对GaN主层中缺陷形成的影响
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机译:外延生长过程中缺陷形成的分子动力学研究(0001)GaN表面上的InGaN合金的制备
机译:在(11 2-2)半极性和(0001)极性平面上生长的InGaN / GaN发光二极管的场相关载流子动力学和发射动力学的比较研究