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机译:无功大功率脉冲磁控溅射中溅射靶表面成分的演变
Solid State Electronics, The Angstrom Laboratory, Uppsala University, P.O. Box 534, SE-75121 Uppsala, Sweden;
Solid State Electronics, The Angstrom Laboratory, Uppsala University, P.O. Box 534, SE-75121 Uppsala, Sweden;
机译:反应性高功率脉冲磁控溅射在Ti溅射靶中的扩散跑道氧化
机译:Ti溅射靶的氧化水平对无功大功率脉冲磁控溅射工艺行为的影响
机译:反应直流和高功率脉冲磁控溅射之间的目标表面化学的实质性差异
机译:通过直流反应磁控溅射和高功率脉冲磁控溅射(Hipims),织地织地织地造成的ALN薄膜的生长沉积在Si(100)上沉积在Si(100)上
机译:用于互连金属化的高功率脉冲磁控溅射和调制脉冲功率溅射的比较。
机译:高功率脉冲磁控溅射
机译:无功大功率脉冲磁控溅射中溅射靶表面成分的演变