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机译:由光导衰减测量得到的c-Si / SiO_2界面复合参数
Department of Materials, University of Oxford, Oxford OX1 3PH, United Kingdom;
Department of Materials, University of Oxford, Oxford OX1 3PH, United Kingdom;
机译:扩展指数的A-si:h / c-si接口重组衰减
机译:SiO_2 / Si中界面复合速度的测量
机译:SiO_2 / Si〜1中的接口复合速度测量
机译:具有各种界面态密度和氧化物电荷的Si / SiO_2界面的表面复合
机译:测量衰减参数ρ并在μon衰减谱中搜索非标准模型的衰减
机译:中子衰变参数的测量— abBA实验
机译:通过光导衰减测量得到的c-Si / SiO2界面复合参数
机译:用共振耦合光电导衰减法测量光伏材料的复合参数:预印。