机译:界面层厚度在高κ介电基MOS器件中的作用
Department of Electronics and Telecommunication Engineering Jadavpur University, Kolkata 700 032, India;
MOS; HfO_2/Si interface; high substrate temperature; C-V; I-V;
机译:高κ基金属氧化物半导体器件的高温HF C-V特性:界面层厚度的作用
机译:高κ和SiO_2界面层厚度对激进规模的金属栅极/ HfO_2 n-MOSFET中低频(1 / f)噪声的影响:高κ声子的作用
机译:等效层厚度较小时界面层对高κTiLaO Ge / Si N型金属氧化物半导体电容器器件性能的依赖性
机译:接近零厚度的自组装分子层,用于未来的器件结构:界面粘附和扩散阻挡性能
机译:有机电子设备中的修改:发现使用界面自组装单分子层提高性能的机制。
机译:电形成的界面层的影响以及包含AlOxGdOxHfOx和TaOx开关材料的IrOx /high-κx/ W结构的改进的存储特性
机译:界面性质和膜厚度对旋涂制备的TiO2-聚(1,4-亚苯基亚乙烯基)双层太阳能电池器件性能的影响