Erratum: 'Improved external quantum efficiency of 293 nm AlGaN UVB LED grown on an AlN template' [Jpn. J. Appl. Phys. 58, SAAF01 (2019)]

Khan M. Ajmal; Matsumoto Takuma; Maeda Noritoshi; Kamata Norihiko; Hirayama Hideki

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【24h】

Erratum: 'Improved external quantum efficiency of 293 nm AlGaN UVB LED grown on an AlN template' [Jpn. J. Appl. Phys. 58, SAAF01 (2019)]

机译：错误：'在ALN模板上生长的293 nm AlGaN UVB LED的外部量子效率为ALN模板'JPN。 J. Appl。物理。 58，SAAF01（2019）]

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《Japanese journal of applied physics》 |2021年第6期|069401.1-069401.1|共1页
作者
Khan M. Ajmal; Matsumoto Takuma; Maeda Noritoshi; Kamata Norihiko; Hirayama Hideki;
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作者单位

RIKEN 2-1 Hirosawa Wako Saitama 3510198 Japan|RIKEN Ctr Adv Photon RAP 2-1 Hirosawa Wako Saitama 3510198 Japan;

RIKEN 2-1 Hirosawa Wako Saitama 3510198 Japan|Saitama Univ Sakura Ku 255 Shimo Okubo Saitama 3388570 Japan;

RIKEN 2-1 Hirosawa Wako Saitama 3510198 Japan|RIKEN Ctr Adv Photon RAP 2-1 Hirosawa Wako Saitama 3510198 Japan;

Saitama Univ Sakura Ku 255 Shimo Okubo Saitama 3388570 Japan;

RIKEN 2-1 Hirosawa Wako Saitama 3510198 Japan|RIKEN Ctr Adv Photon RAP 2-1 Hirosawa Wako Saitama 3510198 Japan;

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1. Improved external quantum efficiency of 293 nm AlGaN UVB LED grown on an AlN template [J] . Khan M. Ajmal, Matsumoto Takuma, Maeda Noritoshi, Japanese journal of applied physics . 2019,第SA期

机译：在AlN模板上生长的293 nm AlGaN UVB LED的改善的外部量子效率
2. Erratum: 'Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al_2O_3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment' [Jpn. J. Appl. Phys. 58 SBBD05 (2019)] [J] . Doi Takuma, Takeuchi Wakana, Shibayama Shigehisa, Japanese journal of applied physics . 2019,第SB期

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机译：错误：“在ALN模板上生长的293 nm AlGaN UVB LED的外部量子效率提高”JPN。 J. Appl。物理。 58，SAAF01（2019）

Erratum: 'Improved external quantum efficiency of 293 nm AlGaN UVB LED grown on an AlN template' [Jpn. J. Appl. Phys. 58, SAAF01 (2019)]

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