...
机译:通过几何自然选择机制通过外延横向过度生长的(001)κ-ga_2O_3面内取向控制
Natl Inst Mat Sci Opt Single Crystals Grp 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki 3050044 Japan;
FLOSFIA Inc Nishikyo Ku 1-29 Goryoohara Kyoto 6158245 Japan;
FLOSFIA Inc Nishikyo Ku 1-29 Goryoohara Kyoto 6158245 Japan;
FLOSFIA Inc Nishikyo Ku 1-29 Goryoohara Kyoto 6158245 Japan;
Ga2O3; HVPE; Oxide semiconductor;
机译:通过外延横向过度生长的α-GA_2O_3在α-GA_2O_3中弯曲的位于平面各向异性
机译:卤化物气相外延α-GA_2O_3的相控制外延横向过度
机译:具有激光干扰光刻图案的子μm特征,用于通过雾化学气相沉积的α-Ga_2O_3的外延横向过度生长
机译:氢化物气相外延生长条件对InP / Si(001)衬底上InP外延横向过生长的影响
机译:利用外延横向过生长来增加电压的薄硅太阳能电池的设计,制造和分析
机译:R平面蓝宝石上外延横向过生长非极性a平面GaN的空间分辨和依赖于方向的拉曼映射
机译:Si(001)上Cu(001)的外延生长:取向发展和缺陷形貌的机制
机译:GaN外延横向过生长的传输,生长机制和材料质量