机译:离子轰击在氧化硅(SiO_2)血浆增强原子层沉积(PEALD)过程中的实验和数值分析
Tokyo Electron Technol Solut Ltd Simulat Technol Dev Dept 650 Mitsuzawa Hosaka Cho Nirasaki Yamanashi 4070192 Japan;
Osaka Univ Grad Sch Engn Ctr Atom & Mol Technol 2-1 Yamadaoka Suita Osaka 5650871 Japan;
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Tokyo Electron Technol Solut Ltd Fundamental Technol Dev Dept 1 650 Mitsuzawa Hosaka Cho Nirasaki Yamanashi 4070192 Japan;
Tokyo Electron Ltd Corp Innovat Div 5-3-1 Akasaka Tokyo 1076325 Japan;
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机译:等离子体增强原子层沉积在二氧化硅薄膜沉积过程中电场的影响:实验和计算研究
机译:在4H-碳化硅后沉积退火的等离子体增强原子层沉积在等离子体增强原子层沉积的致密化
机译:使用商业化的硅前驱体进行SiO_2的热和等离子体增强原子层沉积
机译:氧化物仪器弯曲反应器中氧化物,氮化物和金属氧化物,氮化物和金属的血浆增强原子层沉积方法的优化
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:通过等离子体增强原子层沉积制备的硅氧氮薄膜的微结构化学光学和电学性质的测量
机译:优化牛津仪器FlexAL反应器中的氧化物,氮化物和金属的等离子增强原子层沉积工艺