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机译:翅片制造退火的GE FIN场效应晶体管性能改进
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol Tsukuba Ibaraki 3058568 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol Tsukuba Ibaraki 3058568 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol Tsukuba Ibaraki 3058568 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol Tsukuba Ibaraki 3058568 Japan;
Tohoku Univ Inst Fluid Sci Sendai Miyagi 9808577 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol Tsukuba Ibaraki 3058568 Japan;
机译:氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译:硅兼容的基于InGaAs的平面型和鳍型无结结型场效应晶体管的射频性能分析
机译:无损中性束刻蚀和中性束氧化相结合制造的高性能三端鳍式场效应晶体管
机译:双金属栅极翅片场效应晶体管性能的工作功能变化研究
机译:铁电场效应晶体管内存的性能评估与改进
机译:AlAs / GaAs缓冲架构在Si上外延Ge的异质集成:适用于低功率鳍式场效应晶体管
机译:使用CVD生长的石墨烯电极制备的溶液处理的n型富勒烯场效应晶体管:通过热退火改善性能