...
机译:InGaAs / InP MSM光电探测器中使用苯环丁烯侧壁工艺改善Mesa侧壁漏电流
Department of Electrical Engineering, National Central University, Chungli, Taiwan 32054, R.O.C.;
metal-semiconductor-metal (MSM); photodetector; BCB; passivation; dark current;
机译:在大面积InGaAs MSM光电探测器中使用InP / InGaAsP过渡层改善暗电流
机译:通过选择性侧壁凹陷消除InAlAs / InGaAs异质结构中的台面侧壁栅极泄漏
机译:InAlAs / InGaAs异质结构场效应晶体管中的台面侧壁栅极泄漏
机译:InP / InGaAs MSM光电探测器的频率响应,电流沿2度传输
机译:InGaAs / InP PIN光电探测器的材料表征
机译:深能级陷阱及其对InP / InGaAs异质结构电流特性影响的研究
机译:Inalas / InGaas异质结构场效应晶体管中的台面 - 侧壁漏电
机译:通过选择性侧壁凹陷消除Inalas / InGaas异质结中的台面 - 侧壁漏电