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机译:室温下Au触点1G_0平台长度的分布
International Innovation Center, Kyoto University, Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, Japan;
single-atom; conductance plateau; power-law distribution;
机译:合金化对Au的1G_0触点的影响
机译:低温侧接触碳纳米管晶体管:电阻分布下降至10nm接触长度
机译:低温侧接触碳纳米管晶体管:电阻分布下降至10nm接触长度
机译:GaAs量子点接触中平台电导的理想量化的温度相关偏差
机译:边缘接触特性对三维弹性流体动力学薄膜形状,压力,应力和温度分布的影响。
机译:人类细胞中核外光敏剂长时间曝光会产生DNA片段长度的平稳分布。
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