机译:替代性的光刻胶去除工艺可最大程度地减少灰浆等离子体对低k材料造成的损害
polymer dissolution; hansen parameter; megasonic; photoresist removal; low-k damage;
机译:光刻胶灰化过程中的低k材料损坏
机译:一种新型的基于甲烷的低损伤甲烷等离子体化学方法(CH_4 / Ar):限制金属阻挡层向多孔低k材料中的扩散
机译:有机抗蚀剂等离子体灰化过程中等离子体诱导的低k SiOCH膜损伤机理
机译:H2O等离子体中的光致抗蚀剂灰化过程中,过程引起的SRAM多负载电阻损坏
机译:合理设计超低k介电材料的无损电容耦合等离子体蚀刻和光刻胶剥离工艺。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:反应 - 扩散过程中前向传播的饱和度 描述多孔低k材料中的等离子体损伤
机译:等离子体诱导损伤对离子注入Gaas mEsFET在反应离子刻蚀(RIE)和等离子体灰化过程中通道层的影响。