机译:具有高κ栅堆叠的表面沟道锗晶体管在电应力下的空穴迁移率特性
germanium; pMOSFET; high-κ; mobility; degradation; hot carrier injection; fowler-Nordheim (F-N) stress;
机译:SiO 2 sub> /高堆叠栅氧化物结构的双栅极隧道场效应晶体管电特性的紧凑二维分析模型
机译:在ALD TiN / Al_2O_3 / HfAlO_x / Al_2O_3栅叠层下使用应变Si_(0.7)Ge_(0.3)表面沟道的pMOSFET中的空穴迁移率下降进行量化
机译:穿线位错密度和介电层对硅衬底上晶片尺寸外延生长的p型锗制成的高空穴迁移率金属半导体场效应晶体管的温度相关电特性的影响
机译:高κHfON / SiO
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:用于a-IGZO薄膜晶体管的高κEr2O3和Er2TiO5栅极电介质的结构和电气特性
机译:a-IGZO薄膜晶体管的高ErO和ErTiO栅极电介质的结构和电气特性