机译:掺硅的极性和非极性GaN的光电性能比较研究
Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon, Gyeoggi 443-770, Republic of Korea;
College of Humanities and Sciences, Hanbat National University, Dae/eon 305-719, Republic of Korea;
机译:初始生长压力对不同掺杂水平生长的Si掺杂非极性a面GaN光学性能的影响
机译:GaN金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管的电气特性,具有在邻近GA-极性和非极性表面上形成的AL_2O_3 / GaN界面
机译:Gan / aln极性和非极性量子阱的光学性质的紧密束缚研究
机译:Si掺杂极性和非极性GaN的光学和电气性能
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:GaN / alN极区和非极化量子阱光学性质的紧束缚研究