机译:垂直和倾斜角离子注入对多晶硅膜的面内晶粒取向排列
Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, Higashihiroshima, Hiroshima 739-8527, Japan;
Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, Higashihiroshima, Hiroshima 739-8527, Japan,Solution Science Research Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan;
机译:初始入射角为法向的硅离子注入使最初〈100〉织构化多晶硅膜的低温晶粒生长
机译:高能重离子在多晶SiO2薄膜中的晶粒取向排列
机译:AIC制备的大晶粒多晶硅薄膜的强优先(111)取向
机译:大量植入多晶硅薄膜中硼扩散的谷物效果的生长
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:通过相关红外光谱纳米瘤和开尔文探针显微镜测量钙钛矿多晶膜中晶界晶界中的电子积累
机译:从多晶YBCO薄膜中分离平面内与平面外无关紧要的平面和外平面错误
机译:具有晶粒尺寸和取向分布的多晶mgO薄膜的反射高能电子衍射实验分析