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机译:纤锌矿型InGaN的俄歇复合
Toshiba R&D Center, Kawasaki 212-8582, Japan;
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机译:耦合量子点插入对紫立岩Ingan / GaN量子点辐射重组概率的影响
机译:在效率下降方案中对C平面Ingan / GaN单量子中螺旋钻重组的影响
机译:偏振场和螺旋桨重组对Ingan / GaN蓝色LED内部量子效率的影响
机译:蓝光发射器和垂直腔激光器的InGaN异质结构的光学表征:效率和重组动力学。
机译:抑制俄歇复合过程CdSe / CdS核/壳纳米晶体
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