机译:在效率下降方案中对C平面Ingan / GaN单量子中螺旋钻重组的影响
机译:从InGaN / GaN发光二极管效率下降测量中提取的俄歇复合系数的不确定性
机译:InGaN / GaN多量子阱绿色发光二极管中的Shockley-Read-Hall重组和效率下降
机译:偏振场和螺旋桨重组对Ingan / GaN蓝色LED内部量子效率的影响
机译:克服了氮化镓铟发光二极管的效率下降和c平面氮化镓铟极化发射器的新技术。
机译:MOCVD生长的全应变c平面InGaN /(In)GaN多量子阱中极化场强度的降低
机译:InGaN / GaN量子井结构的高励磁载体密度重组动力学:可能与效率下垂相关