机译:稳态光电容和时间分辨光致发光法研究Cu(In,Ga)Se-2薄膜深层缺陷的性质
Univ Tsukuba, Inst Appl Phys, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan.;
Univ Tsukuba, Inst Appl Phys, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan.;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan.;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan.;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan.;
Univ Tsukuba, Inst Appl Phys, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan.;
机译:稳态光电容法研究Cu(In,Ga)Se
机译:稳态光电容法研究Cu(In,Ga)Se_2薄膜中的深层缺陷
机译:用双波长激励测量的光电码法测量研究中Cu / Ga比对Cugase2薄膜深层缺陷的影响
机译:深层瞬态光谱研究CuInSe CuInSe2和Cu(In,Ga)Se Se2太阳能电池的缺陷性质
机译:通过电导率弛豫测量研究镧锶锰氧化物薄膜的氧表面交换性质。
机译:时间分辨光致发光测量中具有不同表面处理的薄膜半导体的体相和表面复合特性
机译:化学处理前体层制备的Cu(In,Ga)Se-2薄膜的结构性质