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机译:通过单轴压缩应变提高Ge1-xSnx合金的空穴传输能力
Tsinghua Univ, Inst Microelect, Tsinghua Natl Lab Informat Sci & Technol, Beijing 100084, Peoples R China;
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机译:工艺诱导的单轴压应力p-MOSFET中增强的孔栅直接隧穿电流
机译:单轴压缩应变对之字形碳纳米管电子输运性能的影响
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机译:SOI厚度小于4 nm的(110)取向超薄pFET中通过110单轴压缩应变增强空穴迁移率
机译:溶质增强的铝合金应变硬化,以实现强度和韧性的改进组合。
机译:超弹性形状记忆合金丝约束混凝土柱的单轴压缩性能
机译:单轴应变对直接间隙Ge1-xsnx合金电子有效质量和隧道效应的影响
机译:残余应变场大压缩荷载与冷加工紧固孔产生的表面应变场相互作用的实验研究