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机译:初始生长对具有异位物理气相沉积AlN种子层的图案化蓝宝石衬底上GaN质量的影响
Univ Tokyo, Sch Engn, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
Canon ANELVA Corp, Kawasaki, Kanagawa 2158550, Japan;
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Univ Tokyo, Sch Engn, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
机译:利用物理气相沉积-AlN籽晶层对Si上的GaN进行初始生长控制,以用于高质量GaN模板
机译:通过有机金属化学气相沉积在相对较低的温度下在蓝宝石衬底上生长高质量的AlN层
机译:图案化蓝宝石衬底上沉积的非晶和结晶AlN缓冲层对GaN膜质量的影响
机译:通过物理气相沉积沉积的蓝宝石基材上外延ALN层的微观结构
机译:AlN,GaN及其合金的金属有机气相沉积。
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:通过金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的alN / GaN金属 - 绝缘体 - 半导体结构的电容 - 电压表征
机译:低压金属有机化学气相沉积法研究基面蓝宝石和siC衬底上alN和GaN层初始生长的微观结构比较