机译:1Xnm三级单元NAND闪存中的快速低密度奇偶校验和动态阈值电压优化,并全面分析了耐久性,保留时间和温度变化
Chuo Univ, Bunkyo Ku, Tokyo 1128551, Japan;
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机译:虚拟源极/漏极NAND闪存中单元栅极长度波动引起的阈值电压和开启单元电流的变化
机译:晶圆纳米形貌对多晶硅化学机械抛光制造的Nand闪存单元中阈值电压变化的影响
机译:阈值电压变化取决于单个晶粒边界和垂直氧化硅-氮化物-氧化硅-硅NAND闪存中相邻单元中存储的电荷
机译:由神经网络优化的数据模式和内存变化感知细粒度ECC,用于3D-TLC NAND闪存,具有2.0倍的数据保留时间扩展和30%的奇偶校验开销降低
机译:血脂动态变化的综合分析与脂质成分和Bicelles水化利用核磁共振(NmR)谱
机译:MLC NAND闪存中的阈值电压分布:表征,分析和建模