机译:使用合金靶材通过反应溅射沉积的氧化铟基透明导电膜
Aoyama Gakuin Univ, Grad Sch Sci & Engn, Sagamihara, Kanagawa 2298558, Japan;
Aoyama Gakuin Univ, Grad Sch Sci & Engn, Sagamihara, Kanagawa 2298558, Japan;
Aoyama Gakuin Univ, Grad Sch Sci & Engn, Sagamihara, Kanagawa 2298558, Japan;
Nitto Denko Corp, Core Technol Res Ctr, Ibaraki, Osaka 5678680, Japan;
Aoyama Gakuin Univ, Grad Sch Sci & Engn, Sagamihara, Kanagawa 2298558, Japan;
机译:In-Zn合金靶材的反应溅射沉积透明导电非晶In_2O_3-ZnO薄膜的研究
机译:使用Ti-Nb合金靶通过反应性直流溅射沉积的透明Nb掺杂TiO_2导电薄膜,可通过阻抗反馈系统精确地控制过渡区域
机译:通过同时溅射氧化锌和氧化铟靶来沉积的导电透明膜
机译:透明导电Cu-LN-O薄膜通过不同的目标反应性DC磁控溅射沉积
机译:活性反应蒸发沉积的透明导电宽带隙半导体薄膜
机译:射频直流和射频叠加直流磁控溅射沉积的透明导电掺铝ZnO多晶薄膜的载流子输运和晶体学取向特征
机译:在室温下通过RF溅射沉积的高度透明的导电ITO / ag / ITO三层膜
机译:反应共溅射制备高透明导电铝掺杂氧化锌薄膜(后印刷)。