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机译:使用同步整流和续流二极管的SiC电压源逆变器的比较
Silicon carbide; MOSFET; Schottky diodes; Switches; Inverters; Switching loss;
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:SiC MOSFET三相逆变器同步整流不连续PWM的分析
机译:SIC Bidirectional LLC便携式充电器高压应用的双向同步整流在线计算控制
机译:电压源逆变器中SiC同步整流和肖特基二极管的比较
机译:使用高压IGBT的中压感应电动机驱动器的电压源逆变器选件。
机译:13.4 kV / 55 A SiC PiN二极管的理论和实验研究其在闭锁电压和差分导通电阻之间取得了较好的折衷
机译:双层全SiC和三级Si-SiC Quasi-Z源逆变器进行PV应用的实验比较
机译:硅UmOsFET与Gaas垂直FET的比较,用于2.5 mHz的低电压,同步整流