机译:具有汽车电子应用的带隙基准比较器钳位和双电平转换器的2-10 MHz GaN HEMT半桥驱动器
Zhejiang Univ Dept Coll Informat Sci & Elect Engn Inst VLSI Design Hangzhou 310027 Zhejiang Peoples R China;
Automotive applications; bandgap reference comparator clamping (BGRCC); dual level shifters (DLS); gallium nitride high electron mobility transistors (GaN HEMTs); half-bridge driver; high switching frequency;
机译:基于GaN HEMT的> 1-GHz速度低侧栅极驱动器和开关单片工艺,用于865MHz功率转换应用
机译:适用于功率放大器应用的10MHz GaN HEMT DC / DC升压转换器
机译:栅极驱动器的单片集成和P-GaN功率HEMT为MHz开关,通过E模式GAN-On-SOI过程实现
机译:具有带隙基准比较器钳位的GaN HEMT半桥驱动器,用于高频DC-DC转换器
机译:基于高功率密度GaN的升压逆变器和用于汽车应用的谐振模块化多级升压转换器
机译:A航空航天应用GAN HEMT的1 MHz中间总线转换器优化设计