マイクロ波電力増幅器の高調波短絡による相互変調ひずみの改善

摘要

マイクロ波Si MOSFET電力増幅器の相互変調ひずみ特性を真のドレーンニ次高調波短絡を実現することにより改善した．FETドレーンの寄生インダクタンスを考慮した回路構成の採用によりドレーン二次高調波短絡を実現した．まず，ドレーン電流のゲート電圧及びドレーン電圧による2変数テイラー級数展開モデルを用いて，三次相互変調ひずみの低周波（信号差周波数）及び二次高調波負荷依存性を取り入れた摂動法による近似解析理論を適用し，相互変調ひずみ及びその非対称性を検討した．次に，1GHz帯Si MOSFET電力増幅器を製作して，ドレーンの寄生インダクタを考慮した真のドレーン二次高調波短絡回路を導入することにより，相互変調ひずみ及びその非対称性の低減を実現した．