曲線グレーティングを用いたInGaAs量子井戸DBRレーザの高出力化

摘要

リッジ構造活性チャネルと曲線グレーティングから構成されるInGaAs量子井戸DBRレーザにおいて，高効率・高スペクトル純度の単一モード発振が得られるよう，高性能化を行った．DBR領域の量子井戸を選択的に無秩序化し導波路吸収損を大幅に低減した．また高い反射率と鋭い波長選択性が同時に得られるよう曲線DBRグレーティングを最適化するとともに，低反射コーティングにより出射端面反射率を最適化することで高効率化を図った．これにより，高い外部微分量子効率0.79とサイドモード抑圧比50dBの単一モード発振を達成できた．また出射端面近傍に窓構造を設けたレーザでは，破局的光学損傷耐性が大きく改善され最大出力294mWが得られた．