高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT

摘要

40Gbit/s光通信システム実用化に向けて開発が進められているInP HBTに対して表面再結合電 流の発生を抑制できるレッジ構造の有効性を確認した．この構造の加速寿命試験により，電流利得が緩やかに減 少するモードの活性化エネルギーは1.7eVであること，125℃に外挿したデバイス寿命は1×10~8時間以上で あること，更にこの劣化は2mA/μm~2まで動作電流密度に依存しないことが分かった．これにより高速化設計 を可能とする高電流密度での高信頼化が確認できた．また電流利得の劣化の機構を解析し，突然劣化はエミッタ 厚の厚層化により抑制可能なことが判明し，除去可能となった．以上の結果より我々のInP HBTが実用化に向 けて十分な信頼性を有することが確認できた．