積層方式nand構造1トランジスタ型feramの読出し方式の検討

摘要

本論文では強誘電体を用いた積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMを提案し，読出し時rnに通過メモリセルのゲートにパルス人力を印加する方式が高速読出しに有効であることを示した．通過メモリのrnゲートに分極反転が起きない短時間の高電圧パルスを印加することにより，フラッシュメモリと同程度以上の積rn層数（16）と数十ns以下の高速読出し時間を実現できる.