層間接続にTSVとバンプの直接接続を用いた3D積層技術の実用化

摘要

3D積層技術の層間接続歩留り向上策として貫通電極（TSV：Through Silicon Via）と接続用バンプを直接接続させる方法を提案し，8インチウェーハによりほぼ100％の層間接続歩留りが確認された．プロセッサ，カスタム回路，64Mbit SDRAM の3層積層デバイスを8インチウェーハのwafer-to-Wafeで試作し積層デバイスの特性を検証した．試作積層デバイスは，同一プロセスで製造された同じ機能を有するMICMデバイスに比べ2倍の高速動作と1/3以上の消費電力低減が得られることを確認した．また，試作積層デバイスの歩留りは60％以上が得られた．