三次元チップ積層のための電解めっきと蒸着法を用いた高密度Cu/Snマイクロバンプ形成技術

摘要

三次元集積回路の高速信号処理を実現する高密度Cu／Snマイクロバンプ形成技術を開発した．本論文では電界めっき法によりCuバンプを形成し，その上に蒸着法によりSnバンプを成膜するEEB（Electroplating and Evaporation Bumping）技術を基盤としている．また，Cuシード層を除去するためにAr スパッタエッチング法を採用している．両者の技術を組み合わせることにより，5μm角10μm ピッチの高密度Cu/Snマイクロバンプの形成に成功した．EEB技術及び従来のめっき法のみで作製したCu/Snマイクロバンプの高さばらつきはそれぞれ士0.36pm（3σ），土0.48pm（3σ）であり，バンプの高さ均一性に優れていた．また，EEB技術により作製した5μm角Cu/Snマイクロバンプの抵抗値は22.6mΩ/bumpを示し，従来のめっき法のみで形成したCu/Snマイクロバンプと比較して低い値を示した．