放射光直接エッチングによるテフロン導波管横断回路の設計と試作

摘要

テフロン（PTFE）の直接加工（エッチング）を放射光で行い，加工後のテフロン表面に金属の蒸着とめっきをすることにより，ミリ波?サブミリ波帯への応用が可能となる導波管構造を形成することができる．本論文では，放射光直接エッチングを利用して4重回転対称性を有する回路構造のQ帯テフロン導波管横断回路の設計と試作を試みている．その結果，入出力導波管近傍にステップ構造を設けることにより，広帯域にわたって高いアイソレーション特性を有する横断回路が実現可能となることを示す．最後に，設計回路の試作実験を行い，設計結果とほほ一致する測定結果が得られることを確認している．