高密度RFテスタフロントエンド用75dBステップアッテネータのSiP化の検討

君島　正幸; 竹内　博昭; 大西　将夫; 古神　義則

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高密度RFテスタフロントエンド用75dBステップアッテネータのSiP化の検討

机译：使用SiP检查用于高密度RF测试仪前端的75P步进衰减器

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RFテスタフロントエンドの高密度化に伴う75dBステップアツテネータのSiP(system sinpackage)化について，構造と回路設計，試作結果を述べる.従来ハイプリッドIC(HIC：HybridIC)や個別部品で構成した広帯域，高減衰量ステップアッテネータを，LTCC基板と新たに開発した2種類のステップアツテネータMMICを用いてSiP化し，20mm×20mm×3mmのサイズにて，10MHz〜12GHzの帯域で75dBの総可変量と2dB以下の減衰確度を達成した.

机译：本节介绍了75 dB步进衰减器SiP（系统正弦封装）的结构，电路设计和测试结果，该测试伴随着RF测试仪前端的更高密度，常规宽带IC（HIC：混合IC）和宽带，高衰减阶跃衰减器是采用LTCC基板和新开发的两种类型的阶跃衰减器MMIC的SiP，尺寸为20mm x 20mm x 3mm，在10MHz至12GHz频带中的总可变量为75dB和2dB或更小。达到的衰减精度。

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来源
《電子情報通信学会論文誌》 |2013年第12期|541-545|共5页
作者
君島　正幸; 竹内　博昭; 大西　将夫; 古神　義則;
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作者单位

株式会社アドバンテスト;

群馬県,宇都宫大学大学院工学研究科;

宇都宮市;

株式会社アドバンテスト;

群馬県;

株式会社アドバンテスト;

群馬県;

宇都宫大学大学院工学研究科;

宇都宮市;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类
关键词
RFテスタ; ステップアツテネータ; SIP; MMIC; アイソレーション;

机译：射频测试仪;步进衰减器;SIP;MMIC;隔离;

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