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机译:减少由于制造差异引起的漏电流变化的方法
Fujitsu Microelectronics Ltd., Akiruno-shi,197-0833 Japan;
Semiconductor Technology Academic Research Center, Yokohama-shi, 222-0033 Japan;
SANYO Electric Co., Ltd., Gifu-ken, 503-0195 Japan;
NEC Electronics Corp., Kawasaki-shi,221-8668 Japan;
Renesas Technology Corp., Kodaira-shi,187-8588 Japan;
Kyoto University, Kyoto-shi, 606-8501 Japan;
Osaka University, Suita-shi, 565-0871 Japan;
Jedat Inc., Tokyo, 103-0024 Japan;
Jedat Inc., Tokyo, 103-0024 Japan;
Panasonic Corp., Nagaokakyo-shi, 617-8520 Japan;
RICOH Company Ltd., Ikeda-shi, 563-8501 Japan;
Renesas Technology Corp., Kodaira-shi,187-8588 Japan;
low power; leakage; gate delay model; variation;
机译:增强型Galeor方法降低漏电流的SRAM设计与仿真
机译:降低ULP SRAM中泄漏电流的新方法
机译:SCCMOS电源开关的自动栅极偏置可最大程度地减少漏电流并降低漏电流变化
机译:在存在制造差异的情况下,用于使后硅漏电流最小化的输入矢量控制
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机译:减少增材制造金属零件中变异性的感官材料方法
机译:34.3制造可变性存在下硅后泄漏电流最小化的输入矢量控制