机译:低压操作嵌入式DRAM宏中感测电压裕度的研究
Renesas Technology Corp., Itami-shi, 664-0005 Japan;
embedded memory; DRAM; voltage margin; low voltage; system on chip;
机译:具有1 ns访问权限的14 nm 1.1 Mb嵌入式DRAM宏
机译:没有提升电源的2T1C嵌入式DRAM宏,具有基于7T SRAM的维修和单元存储监控器
机译:适用于POWER™处理器32 MB片上三级高速缓存的45 nm SOI嵌入式DRAM宏
机译:利用32nm SOI CMOS中的嵌入式DRAM宏实现用于空间的高密度DRAM
机译:通过了解和利用DRAM时序参数边缘来提高DRAM性能,安全性和可靠性
机译:硅和多晶硅1T-DRAM的传感裕度分析
机译:具有闪存的嵌入式系统中文件管理的宏建模和能效研究
机译:用于高性能VLsI嵌入式存储器的DRam编译器算法