...
机译:考虑开关晶体管电容的CMOS压控振荡器的相位噪声衰减分析
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, 152-8552 Japan;
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, 152-8552 Japan;
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, 152-8552 Japan;
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, 152-8552 Japan;
CMOS; VCO; inductor; phase noise; quality factor; multiple divide; switched capacitor;
机译:CMOS工艺中采用寄生V-NPN晶体管的近相噪声增强型压控振荡器
机译:基于开关尾管拓扑的RF CMOS正交LC电压控制振荡器的实现。
机译:K波段低相位噪声和低功耗CMOS电压控制振荡器
机译:具有基于变压器的开关谐振器的双宽带和低相位噪声CMOS压控振荡器
机译:低压低相位噪声高频CMOS LC压控振荡器的新架构。
机译:CMOS电压控制振荡器的开关偏置技术
机译:使用90nm CMOS技术设计高性能5.2GHz低相位噪声控制振荡器