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Ultra High Speed CNFET Full-Adder Cell Based on Majority Gates

机译:基于多数门的超高速CNFET全加法单元

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摘要

In this paper an ultra high speed CNFET Full-Adder cell is presented. This design generates sum and carry-out signals via majority and majority-not gates which are implemented by CNFET buffer, CNFET inverter and input capacitors. Significant improvement in terms of speed and Power-Delay Product (PDP) is achieved.
机译:本文提出了一种超高速CNFET全加法单元。这种设计通过多数和多数非门产生求和和进位信号,这些门由CNFET缓冲器,CNFET反相器和输入电容器实现。实现了速度和功率延迟乘积(PDP)方面的显着改善。

著录项

  • 来源
    《IEICE Transactions on Electronics》 |2010年第6期|P.932-934|共3页
  • 作者单位

    Nano-technology and Quantum Computing Lab, Shahid Beheshti University, GC, Tehran, Iran;

    Nano-technology and Quantum Computing Lab, Shahid Beheshti University, GC, Tehran, Iran;

    Nano-technology and Quantum Computing Lab, Shahid Beheshti University, GC, Tehran, Iran;

    Nano-technology and Quantum Computing Lab, Shahid Beheshti University, GC, Tehran, Iran;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    full-adder; nanotechnology; CNFET; CMOS;

    机译:全加法器纳米技术CNFET;CMOS;

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