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Al下地膜上へのSrAl_2O_4薄膜の剥離抑制の検討

机译:Al基底层上SrAl_2O_4薄膜的抑制研究

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摘要

In order to suppress that SrAl_2O_4 films on Al underlayer detach from substrate, SrAl_2O_4 thin films were attempted by post-annealing in vacuum of the films deposited on Al underlayer using reactive sputtering method. As a result, The Al film was effective to the crystallinity improvement, control of orientation and increase of the luminescence intensity of the SrAl_2O_4 film.%本研究では,Al薄膜の上にSrAl_2O_4薄膜をスパッタ堆積した後,熱処理を行う方法によるアSrAl_2O_4薄膜の剥離や亀裂の抑制の検討を行った。その結果,Al下地膜及びスパッタ膜堆積時の酸素分圧は,熱処理によりSrAl_2O_4薄膜を作製する場合の結晶性向上や配向性制御や剥離や亀裂の抑制,発光強度の増加に有効であった。
机译:为了抑制Al底层上的SrAl_2O_4膜从基板上剥离,通过反应溅射法对沉积在Al底层上的膜进行真空后退火,从而尝试了SrAl_2O_4薄膜。结果,Al膜对于提高结晶度是有效的在这项研究中,我们研究了在铝薄膜上溅射沉积SrAl_2O_4薄膜后,通过热处理抑制SrAl_2O_4薄膜的分层和龟裂。去。结果,当通过热处理制备SrAl_2O_4薄膜时,Al底层和溅射膜的沉积期间的氧分压对于改善结晶度,控制取向,抑制剥离和破裂以及增加发射强度是有效的。

著录项

  • 来源
    《電子情報通信学会技術研究報告》 |2008年第269期|p.41-45|共5页
  • 作者单位

    新潟大学大学院自然科学研究科 〒950-2181 新潟県新潟市西区五十嵐二の町8050番地;

    新潟大学大学院自然科学研究科 〒950-2181 新潟県新潟市西区五十嵐二の町8050番地;

    新潟大羊工学部 〒950-2181 新潟県新潟市西区五十嵐二の町8050番地;

    新潟大羊工学部 〒950-2181 新潟県新潟市西区五十嵐二の町8050番地;

    新潟大羊工学部 〒950-2181 新潟県新潟市西区五十嵐二の町8050番地;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

    SrAl_2O_4薄膜; 長残光性蛍光体; 真空熱処理; 剥離;

    机译:SrAl_2O_4薄膜;长余辉荧光粉;真空热处理;剥落;
  • 入库时间 2022-08-18 00:37:47

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