ポリ3へキシルチオフェン薄膜形成と有機トランジスタへの応用

摘要

Regioregular poly-3-hexylthiophene (P3HT) thin films were formed using a spin coating technique. After deposition in a moderate condition, the P3HT films showed a stable crystal structure. The TFTs indicate the maximum field-effect mobility of 1.2×10~(-3)cm~2/Vs in the p-channel operating mode. Using the transistor, it was possible to detect 8638 ppm of H_2 gas.%スピンコート法を用い、位置規則性を持つポリ3へキシルチオフェン（P3HT）膜の形成を試みた。P3HT膜は、適度な条件下での成膜後、安定な結晶構造を示した。薄膜トランジスタ（TFT）において、pチャネルモード動作を示し、最大キャリア移動度において、1.2×10~(-3)cm~2/Vsを有する性能が得られた。さらに、8638ppmのH_2ガスに応答することが確認できた。