Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_(1-x)Nの諸特性

摘要

Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_(1-x)Nについて、諸特性のリアクタ圧力依存性を調べた。成長圧力が高くなるに従いAl固相比は小さく膜厚は薄くなり、Al気相比が大きい程顕著であった。X線回折ωスキャンによるマクロレベルでの結晶評価では結晶品質の成長圧力依存性は見られなかった。一方、二次イオン質量分析による不純物分析より、成長圧力を高くするに従い全Al固相比でC濃度が減少すること、また成長圧力を高くなるとAl固相比に対して指数関数的にC濃度が増加する傾向になることがわかった。%Al_xGa_(1-x)N films were grown on Si substrates as a function of reactor pressure using a low-pressure MOCVD method. The Al solid composition and thickness decrease with the increase of the reactor pressure due to the parasitic reaction between metalorganics and ammonia in the vapor phase, depending on the TMA vapor composition. While full-width at half-maximum values of X-ray w-scan don't show significant dependence on the reactor pressure, the carbon (C) concentration in Al_xGa_(1-x)N decreases over the entire range of the solid composition with the increase of the reactor pressure. The C concentration increases exponentially to the Al solid composition at the higher reactor pressure.