GaN HEMT広帯域高効率増幅器

摘要

In this paper, circuit technologies for GaN HEMT broadband high efficiency amplifiers are presented. Cat-CVD technique eliminated so-called current-slump phenomenon and highest power added efficiency of 62 % was obtained for a 1 cell transistor at C-band with operating drain voltage of 40V by using harmonic load pull / source pull measurements. 3 kinds of circuit topologies were experimentally investigated for broadband high efficiency operation. Each of them successfully achieved more than 50% PAE with 40~100W output power at C-band over more than 5% relative band width.%GaN HEMTを用いた広帯域高効率増幅器について報告する．表面バッシベーション膜の形成にCat-CVD法を用いることでカレントコラブスの問題を解消した．また高調波ロードプル測定により入出力ともに電力付加効率（PAE）最大となる負荷インピーダンスにて入出力特性を測定した．その結果，C帯にて40V動作で62％の最大素子PAEが得られた．このGaN HEMTを用いて3種類の回路構成でC帯広帯域高効率増幅器を試作した．その結果，いずれの回路構成でも出力40W～100W，PAE50％以上の高効率・高出力が比帯域5％以上の広帯域において得られた．