ITO/AlNiNdコンタクト形成メカニズムの解明

摘要

The chemical bonding state, crystallized state and element distribution near ITO/AlNiNd interface are investigated. In the case of without post annealing after AlNiNd sputtering, uniform Al_2O_3 layer is grown during ITO sputtering process and electric contact is not formed. In the case of with post annealing, Al_3Ni crystal grains are formed and those are not oxidized during ITO sputtering process. ITO/AlNiNd direct electric contact is fabricated because electric current flows through the Al_3Ni crystal grains.%AlNiNd上にITOをスパッタ成膜した際の，ITO/AlNiNd界面の化学結合状態，結晶状態，元素分布を詳細に調べた。AlNiNd成膜後にポストアニールしない場合，ITO/AlNiNd界面には一様に酸化膜が形成され，電気的コンタクトが形成されない。一方，AlNiNd成膜後にポストアニールした場合，Al_3Ni結晶相が析出し，この相はITO成膜時に全く酸化されない。このAl_3Ni結晶相がITOとAlNiNdの間の導通パスとなるため，ITO/AlNiNdダイレクトコンタクトが形成される。