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半導体レーザ直接励起による有機垂直共振器レーザ

机译:半导体激光器直接泵浦的有机垂直腔激光器

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摘要

We present vertical-cavity solid-state dye lasers pumped by an InGaN laser diode. The dye laser has a polyN-vinylcarbazole active layer doped with coumarin 540A. The laser action was attained in a single mode manner around 550 nm with a threshold pump power of some 10 mW/pulse by employing high-reflective DBR, vertical-cavity DFB mirror, and nanoparticles.%有機色素レーザの小型・低消費電力化を目的として、InGaN系LDで直接励起する垂直共振器構造の固体色素レーザを提案し、作製評価した。レーザ活性層はクマリン540AをドープしたPVX薄膜からなり、共振器構造として、高反射DBR、垂直DFBミラー、ナノ微粒子等を導入し、それぞれの効果について結果を得た。パルス幅3-4nsのLD励起により、数10mW/pulseの闇値で、単一モード発振が550nm付近の波長において得られた。
机译:我们介绍了一种由InGaN激光二极管泵浦的垂直腔固态染料激光器,该染料激光器具有一个掺杂了香豆素540A的聚N-乙烯基咔唑活性层,其激光作用是在550 nm附近以单模方式实现的,具有阈值泵浦功率通过使用高反射DBR,垂直腔DFB反射镜和纳米颗粒,可以产生大约10 mW /脉冲的脉冲。%为了减小有机染料激光器的尺寸和降低其功耗,InGaN LDs直接激发了固态垂直腔结构我们提出了一种染料激光器并对其进行了评估。激光活性层由掺有香豆素540A的PVX薄膜组成,并引入了高反射率的DBR,垂直DFB镜,纳米颗粒等作为谐振器结构,并获得了每种效果的结果。通过以3-4 ns的脉冲宽度进行LD激发,可以在550 nm附近的波长处获得单模振荡,其暗值为数十mW /脉冲。

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