液相合成ZnS：Cuナノ結晶を用いたEL素子の作製

摘要

We have evaluated a ZnS:Cu nanocrystal (NC) EL device with a structure of glass/ITO(indium-tin oxide)/emission layer/Al. The emission layer consisting of chemically synthesized ZnS:Cu NCs with a crystal size of 4.4 nm was prepared by a screen-printing method. An emission peak due to the recombination between donor levels related to defect of ZnS and Cu~+accepter levels were observed at a wavelength of 496 nm in the photoluminescence (PL) spectrum of ZnS:Cu NCs. The ZnS:Cu NC EL device showed rectification. When the ITO-electrode was positively biased over 7 V, a white EL was observed. The threshold electric field was 0.17 MV/cm, which is approximately 1/5-1/8, comparing with that of typical high field type EL device.%液相合成ZnS：Cuナノ結晶を発光層に用いたEL素子（ZnS：Cuナノ結晶EL素子）を作製し，その特性を評価した.素子構造は，ガラス基板/ITO（indium-tin oxide）/発光層/Alとした.発光層はスクリーン印刷法により形成した.X線回折法による測定から算出したZnS：Cuナノ結晶の粒径は4.4nmであった.ZnS：Cuナノ結晶のフォトルミネセンス（PL）測定では，ZnSの欠陥準位とCu~+とのドナーアクセプタ対における再結合に起因する波長496nmの発光を観測した.ZnS：Cuナノ結晶EL素子は整流性を示した.また，ITO電極に正の電圧を印加すると，白色のEL発光が得られた，発光開始電圧は7Vと低く，このときの電界強度は0.17MV/cmと一般的な高電界EL素子の1/5～1/8程度であった.