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【24h】

hcp-Niおよびhcp-NiFe薄膜のエピタキシャル成長

机译:hcp-Ni和hcp-NiFe薄膜的外延生长

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摘要

Ni and NiFe epitaxial thin films were prepared on Au(100) single-crystal underlayers by molecular beam epitaxy. The structural and the magnetic properties were investigated. hcp-Ni and hcp-NiFe crystals are obtained at temperatures lower than 300 ℃ and 400 ℃, respectively. The both kinds of hep crystals consist of two types of (1120)_(hcp) domains whose c-axes are in plane and rotated around the film normal by 90° each other. The hep crystals tend to transform into more stable fcc crystals during film growth process with increasing the substrate temperature. X-ray diffraction and high-resolution transmission electron microscopy show that the Ni and the NiFe films prepared at 100 ℃ consist primarily of hep crystals. The saturation magnetization values of hcp-Ni and hcp-NiFe films are similar to those of bulk fcc-Ni and fcc-NiFe crystals. The in-plane magnetization properties of hcp-Ni and hcp-NiFe films are interpreted to be reflecting the magnetocrystalline anisotropies of bulk hep crystals.%分子線エビタキシー法によりAu(100)単結晶下地層上にエビタキシヤルN iおよびNiFe薄膜を形成し,構造と磁気特性を調べた.hcp-N i結晶およびbcp-NiFe結晶がそれぞれ基板温度300℃以下および400℃以下で形成された.いずれの場合もhcp結晶はc軸が膜面と平行でしかも互いに90°回転した方位関係を持つ2タイプの(1120)_(hcp)バリアントから構成された・基板温度の上昇に伴い,準安定なhcp結晶はより安定な触結晶に変態する傾向が認められた.基板温度100℃で形成したN iおよびNiFe薄膜は主にhcp結晶から構成されていることが分かった.hcp-N iおよびhcp-NiFe薄膜はそれぞれバルクfcc-N iおよびfcc-NiFe結晶とほぼ同程度の飽和磁化値を持ち,bcp<0001>方向に磁化容易軸を持つ磁気異方性を示した.
机译:通过分子束外延在Au(100)单晶衬底上制备了Ni和NiFe外延薄膜。研究了结构和磁性。 hcp-Ni和hcp-NiFe晶体分别在低于300℃和400℃的温度下获得。两种庚晶均由两种类型的(1120)_(hcp)域组成,它们的c轴在平面内,并绕薄膜法线彼此旋转90°。在薄膜生长过程中,随着衬底温度的升高,庚型晶体倾向于转变为更稳定的fcc晶体。 X射线衍射和高分辨率透射电镜观察表明,在100℃制备的Ni和NiFe薄膜主要由庚型晶体组成。 hcp-Ni和hcp-NiFe薄膜的饱和磁化强度值类似于块状fcc-Ni和fcc-NiFe晶体的饱和磁化强度。 hcp-Ni和hcp-NiFe薄膜的面内磁化特性被解释为反映了块状庚晶的磁晶各向异性。%分子线エビタキシー法によりAu(100)単结晶下地层上にエビタキシヤルN iおよびNiFe薄膜hcp-N i结晶およびbcp-NiFe结晶がそれぞれ基板温度300℃以下および400℃以下で形成された。いずれの场合もhcp结晶はc轴が膜面と平行でしかも互いに90°回転した方位关系を持つ2タイプの(1120)_(hcp)バリアントから构成された・基板温度の上升に伴い,准安定なhcp结晶はより安定な触结晶に変态する高温が认基板。基板温度100℃Fe形成したN iNiFe薄膜は主にhcp结晶から构成からいることが分かった.hcp-N iおよびhcp-NiFe薄膜はそれぞれバルクfcc-N iおよびfcc-NiFe结晶とほぼ同程度の饱和磁化値を持ち,bcp <0001>方向に磁化容易轴を持つ磁気异方性を示した。

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