Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極

摘要

Although ohmic electrodes based Ti/Al are widely-used for AlGaN/GaN HEMTs, it is difficult to use them in wet etching process because Al has poor corrosion durability to acid/alkali. We have developed Aluminum-Free electrodes like Ti/Nb/Au and/or Ti/Nb/Pt with a Si ion implantation technique and demonstrated great affinity of these electrodes for wet/dry etching process. A low contact resistance equal to Ti/Al electrodes and high durability for corrosion were obtained.%AlGaN/GaN HEMTにおいて広く使用されているオーミック電極はTi/Alを基本としているが，Alは酸・アルカリに対する耐腐食性に乏しく，プロセス安定性が低いためウ土ツトエッチングを伴うプロセスなどで用いることが困難である．我々はSiイオン注入ドーピング技術を用いて，刃フリーでコンタクト抵抗が低く，なおかつ耐腐食性の高いTi/Nb/Au及びTi/Nb/Pt電極を開発し，プロセス安定性の向上に期待ができることを示した．