周期溝加工AlN／サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長

摘要

We have demonstrated that crack-free thick AlN layer be grown by Low-pressure HVPE using period trench-patterned AlN/Sapphire substrate.rnIn this study, AlN growth by HVPE on substrates with varied trench structure was investigated, and we observed growth configuration. The height that growth from terrace are coalescenced heighten by widening the groove width, and a crack-free AlN of 30um thickness was obtained. The height that voids are formed heighten by shallowing the groove depth, and it was found that above a certain depth is necessary to form voids. As a result, the crystalline quality of AlN was improved by epitaxial lateral overgrowth process on period trench-patterned substrate.%減圧HVPE法において周期溝加工を施したAlN／サファイア基板を用いることによりクラックフリーのAlN厚膜を成長できる。本研究では、溝構造が異なる基板上にAlN成長をHVPE法で行い成長形態の観察を行った。溝幅を広くすることによりテラスからの成長が合体するまでの高さが高くなり、膜厚30μmのクラックフリーAlNが得られた。溝深さを浅くすることによりポイドの形成位置が高くなり、ボイドを形成するには一定以上の溝深さが必要なことがわかった。また、周期溝による横方向成長によりAlNの結晶性が改善した。