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65nm CMOSテクノロジによる6bit任意デジタル雑音エミュレータの開発

机译:利用65nm CMOS技术开发6bit任意数字噪声仿真器

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摘要

An arbitrary noise generator (ANG) is based on time-series charging of divided parasitic capacitance (TSDPC) and emulates power supply noise generation in a CMOS digital circuit. A prototype ANG incorporates an array of 32 × 32 6-bit TSDPC cells along with a 128-word vector memory and occupies 2×2 mm~2 in a 65 nm 1.2 V CMOS technology. Digital noise emulation of functional logic cores such as register arrays and processing elements is demonstrated with chip-level waveform monitoring at power supply, ground, as well as substrate nodes.%時分割寄生容量列(time-Series charging of divided parasitic capacitance:TSDPC)モデルに基づいたCMOSデジタル回路の電源雑音発生をエミュレートする任意雑書発生回路(arbitrary noise generator:ANG)を提案する.プロトタイプは128ワードのSRAMによって容量値を任意設定可能な32セル×32セルの6ビットTSDPCセルアレイで,65nml.2VCMOSテクノロジを用いて実装しサイズは2×2mm~2である.本回路を用いて,レジスタ列や演算装置などのロジックコアのデジタル雑音のエミュレーションを行い,電源,グラウンド,基板での雑音波形をオンチップモニタによって取得した.
机译:任意噪声发生器(ANG)基于分裂寄生电容(TSDPC)的时间序列充电,并仿真CMOS数字电路中的电源噪声生成.ANG原型包含32×32 6位TSDPC单元阵列以及一个128字的向量存储器,在65 nm 1.2 V CMOS技术中占用2×2 mm〜2的距离。在电源,地上通过芯片级波形监控演示了功能逻辑核心(例如寄存器阵列和处理元件)的数字噪声仿真%任意噪声发生器(ANG),它基于划分寄生电容(TSDPC)模型的时间序列充电来模拟CMOS数字电路的电源噪声生成。原型是一个32位×32单元6位TSDPC单元阵列,其容量值可以由128字SRAM任意设置,并使用65 nml安装。使用该电路,可以仿真逻辑核心(如寄存器串和算术单元)的数字噪声,并通过片上监控器获取电源,地和板上的噪声波形。

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